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一種不燒Si-SiC窯具及其制備方法

申請號:CN202311263799.9

申請日:2023-09-27

公開(公告)號:CN117401988A

公開(公告)日:2024-01-16

主分類號:C04B35/66

分類號:C04B35/66;C04B35/565;F27D5/00

頒證日:

優先權:

申請(專利權)人:北京科技大學;中鋼集團洛陽耐火材料研究院有限公司

地址:100083 北京市海淀區學院路30號

發明(設計)人:李勇;韓基鑠;李紅霞;馬晨紅

國際公布:

進入國家日期:

專利代理機構:北京市廣友專利事務所有限責任公司

代理人:張仲波

內容簡介

摘要: 一種不燒Si-SiC窯具及其制備方法,屬于耐火材料領域。所述窯具由如下原料組成:75~97wt%的碳化硅、3~25wt%的硅粉,外加3~5wt%的酚醛樹脂或糊精作為結合劑。將上述原料與結合劑經配料并均勻混合后,機壓成型并于200℃~300℃干燥12h~48h,制得不燒Si-SiC窯具。本發明針對現有技術中Si-3N-4結合SiC窯具在高溫含氧氣氛條件下服役時發生氧化進而導致窯具表面開裂、顆粒脫落等問題使其無法正常使用,將Si直接作為原料與SiC結合,使其在服役過程中利用Si的高親氧性,優先發生氧化并逐漸轉化為SiO-2-SiC窯具,解決了SiC基體氧化所帶來制品開裂的問題,延長窯具的使用壽命。相較于目前Si-3N-4結合SiC窯具其復雜的制備工藝,本發明省去了傳統窯具的預燒結工序,實現了綠色節能化制備SiC質窯具。

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