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一種SiC晶須增強的方鎂石-鎂橄欖石-碳化硅-碳耐火材料及其制備方法

申請號:CN202410407120.7

申請日:2024-04-07

公開(公告)號:CN118324507A

公開(公告)日:2024-07-12

主分類號:C04B35/20

分類號:C04B35/20;C04B35/103;C04B35/81;C04B35/622;C04B35/626

頒證日:

優先權:

申請(專利權)人:遼寧科技學院;

地址:117000 遼寧省本溪市高新技術產業開發區香槐路176號

發明(設計)人:祁欣;羅旭東;陶瑩;趙京明;曲濤;李思南;孟祥然

國際公布:

進入國家日期:

專利代理機構:鞍山順程商標專利代理事務所(普通合伙)

代理人:范偉琪

內容簡介

摘要: 本發明公開了一種SiC晶須增強的方鎂石-鎂橄欖石-碳化硅-碳耐火材料及其制備方法,方鎂石-鎂橄欖石骨料的制備;將高硅菱鎂礦以3~8℃/min的速率升溫至800~1000℃,保溫2~4h,制備高硅菱鎂礦熟料,破碎、過篩,得到180~325目高硅菱鎂礦熟料細粉;將多晶硅廢料在110~150℃條件下干燥24~36h,破碎、過篩,得到180~325目多晶硅廢料細粉。本發明方法資源利用率高;方鎂石-鎂橄欖石-碳化硅-碳耐火材料中單質碳含量很低,可以減少對鋼水的增碳,適用于低碳鋼和超低碳鋼的冶煉;本發明方法制備的SiC晶須增強的方鎂石-鎂橄欖石-碳化硅-碳耐火材料抗熱震性好、抗渣侵蝕性好、有效提高耐火材料的使用壽命。

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